功能描述:MOSFET DISC BY CEL 7/01 GEN PURP DUAL GATE
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
NE94430
NE94430-A
NE94430-T1-A
NE94430-T44-A
NE94433
NE94433-A
NE94433-T1B
NE94433-T1B-A
NE94433-T1B-T43-A
NE94433-T1B-T44-A
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